概述：

人體放電模式(HBM)的ESD是指因人體在地上走動磨擦或其他因素在人體上已累積了靜電，當(dāng)此人去碰觸到IC時，人體上的靜電便經(jīng)由IC的腳(pin)而進(jìn)入IC內(nèi)，再經(jīng)由IC放電到地上去。此放電的過程會在短到幾百毫微秒(ns, nanosecond,10-9sec)的時間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培的瞬間放電電流，電流會把IC內(nèi)的組件給燒毀。

機(jī)器放電模式(MM)的ESD是指機(jī)器(例如機(jī)器手臂)本身累積了靜電，當(dāng)此機(jī)器去碰觸到IC時，該靜電便經(jīng)由IC的pin放電。因?yàn)榇蠖鄶?shù)機(jī)器都是用金屬制造的，其機(jī)器放電的等效電阻為0W；由于機(jī)器放電模式的等效電阻為零，故其放電的過程更短，在幾毫微秒到幾十毫微秒之內(nèi)會有數(shù)安培的瞬間放電電流產(chǎn)生，因此對組件的破壞力更大。

此放電模式(CDM)是指IC先因磨擦或其他因素而在IC內(nèi)部累積了靜電，但在靜電累積的過程中IC并未受傷。此帶有靜電的IC在處理過程中，當(dāng)其pin去碰觸到接地面時，IC內(nèi)部的靜電便會經(jīng)由pin自IC內(nèi)部流出來，而造成了放電的現(xiàn)象。此種模式的放電時間更短，僅約幾毫微秒之內(nèi)，而且此放電現(xiàn)象更難以真實(shí)的被模擬。

影響靜電荷產(chǎn)生量的因素
相對濕度  物質(zhì)材料(摩擦電序列)  接觸的面積 摩擦頻率